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DXT3150-13中文资料

DXT3150-13图片

DXT3150-13外观图

  • 大小:199.8KB
  • 厂家:Diodes Inc.
  • 描述: BIPOLAR, TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:350mV; Current Ic Continuous a Max:5A; Gain Bandwidth ft Typ:220MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):250 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大:1W
  • 频率 - 转换:220MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商设备封装:SOT-89-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DXT3150DITR

DXT3150-13供应商

更新时间:2023-01-08 20:03:56
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